Siliziumkarbid (SiC) ist ein vielversprechendes Materialsystem für photonische integrierte Schaltungen (PICs) und miniaturisierte Festkörper-Quantensysteme. Im Projekt ALP-4-SiC –Atomlagenprozessierung für SiC für Anwendungen in der Photonik
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Im Rahmen der MINT-Projektwoche »Kristalle« steht für die Schülerinnen und Schüler der Montessori Schule Herzogenaurach echte Forschung auf dem Stundenplan: Sie schlüpfen in Laborkittel, Schutzbrillen
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Für eine sichere und klimaneutrale Energieversorgung sind effiziente und umweltverträgliche Speichertechnologien wie die lithiumfreie Aluminium-Ionen-Batterie (AIB) essenziell. Im Forschungsprojekt SALSA (steht für: Entwicklung applikationsspezifischer Aluminium-Ionen-Batterien
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Der bayerische Wirtschaftsminister Hubert Aiwanger hat am 10. April 2025 das neue Technologiezentrum des Fraunhofer IISB zur Erforschung kontaktloser Energieübertragung für elektrische Fahrzeuge eröffnet und
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Siliziumkarbid bietet für die Leistungselektronik erhebliche technische Vorzüge – ein Nachteil sind nach wie vor die Kosten. Im Forschungsprojekt »ThinSiCPower« entwickelt ein Konsortium von Fraunhofer-Instituten
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Im 3. bundesweiten Schulwettbewerb »Wer züchtet den schönsten Kristall?« stand die Fachjury des Fraunhofer IISB vor der Qual der Wahl: Über 2500 Schülerinnen und Schüler
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Im Verbundprojekt »BALU – Fertigungstechnologie für Batteriezellkonzepte auf Basis der Aluminium-Ionen-Technologie« entwickelt ein Konsortium aus Forschungseinrichtungen und spezialisierten Industrieunternehmen die Aluminium-Graphit-Dual-Ionen-Batterie (AGDIB) weiter. Aufgrund der
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Schülerinnen und Schüler der Montessori Schule Herzogenaurach begeben sich auf eine spannende Reise in die Welt der Kristalle. Gemeinsam mit dem Fraunhofer IISB in Erlangen
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Ein Forschungsteam der Rigaku SE und des Fraunhofer IISB hat gemeinsam eine einzigartige, industrietaugliche Charakterisierungsmethode für Halbleitermaterialien realisiert. Dabei wurde erstmalig der Aufbau des Röntgentopographiesystems
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Geht es um besonders verlustarme Halbleiterbauelemente und hocheffiziente Leistungselektronik, führt heute kein Weg mehr vorbei an Siliziumkarbid (SiC). Das Wide-Bandgap-Halbleitermaterial SiC ist dem konventionellen Silizium
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